IU5365具有NTC及电池过放电电压保护功能3A异步降压型铅酸电池充电管理IC

  IU5365E是一款异步降压型铅酸电池充电管理IC。集成功率MOS，具有最大3A的充电电流能力，充电电流能够最终靠外部电阻灵活可调。IU5365E通过设置合适的外围电阻，具有对电池的NTC保护功能。IU5365E通过外部电阻，可独立调节过充电压。IU5365E具有完善的保护功能，包括输入欠压和过压保护、电池充电过压和短路保护、电池过放电电压保护、芯片过温保护、电池温度保护、充电超时保护。此外芯片通过外接的一路LED指示灯，可对充电过程实现全程监控。

  电池充电过压，短路保护电池过放电电压保护输入欠压，过压保护IC温度自适应调节，IC过温保护

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  日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有65mm2/ 0.1 in2的业内最小Lug安装空间的新系列Mini Lug负温度系数(NTC)热敏电阻--- NTCALUG03。新器件的最短响应时间小于4秒，能够在-40℃～+125℃温度范围内快速、精确地测量出温度。 除了直径小的优点，NTCALUG03还采用了5.5mm的小型环状扣环，这种扣环能够用M2螺丝或北美的1号、2号按扣来安装。小尺寸再加上镀银的镍导体，使器件的ΔT热梯度小于5%，从而在空间受限的应用中能够精确地测量表面温度。器件针对机壳、散热器、功率电子和导管，以及测试和测量仪器、家用电器和工业设

  最近在测试设备的时候需要监测设备的温度，平常测试时都是通过红外热成像仪测试，然后手动记录数据。这样测试的话工作量比较大，需要几分钟就记录一次数据。于是想着能不能用单片机做一个测试温度的装置，用电脑自动记录数据。手头刚好有STM8S003单片机和 5K的NTC热敏电阻，于是就做了一个简易的温度测试装置，并使用伏特加上位机软件将温度波形显示出来。   最终测试效果如图所示：   下面将制作步骤分享出来。   首先设计NTC热敏电阻的采样电路。   这里使用最简答电阻分压电路，将热敏电阻和一个10K电阻串联分压，然后将电压值直接送到单片机的AD采样口，由于热敏电阻的阻值会随着气温变化，所以送入单片机口的电压值也会随着

  热敏电阻自制简易温度巡检仪 /

  在设计汽车的过程中，一个主要的难题是例如控制单元、传感器、信息娱乐系统等保护电子设备，免遭出现在电源在线的有害浪涌、电压瞬态、ESD和噪声的损害。瞬态电压抑制器(TVS)是用于保护汽车电子科技类产品的理想方案，有些参数对这些应用来说很重要，包括功率等级、关态电压、击穿电压、最大击穿电压。下面是这些参数的定义。 功率等级 TVS的功率等级是在一定测试或应用条件下吸收浪涌的能力。10μs/1000 μs脉冲波形（Bellcore 1089标准）的行业标准测试条件如图1所示。这个测试条件不同于TVS瞬态电压吸收能力的测试条件，吸收能力的测试采用8 μs/20 μs脉冲波形，如图2所示。

  为放大器输出增加晶体继电器和控制电路，提供过电压保护。 在测试测量应用中，必须为放大器输出终端、能量供给和类似元器件提供过电压保护。实现这个任务的传统方法是与钳位二极管一起，在输出节点到电源轨或其他门限电压之间，增加串联电阻（参考文献1和图1）。电阻显著减小了输出电流能力和电压输出随低电阻负载的波动。另一个方法是使用保险丝或其他限流设备，它们比二极管具有更高的能量吸收能力。图2中电路为双极电流源，当源电阻R 6 上压降增加到大于耗尽型MOSFET Q 1 和Q 2 的门限电压时，通过二极管限流（参考文献2）。这样的解决方法的缺点是过载情况下，串联器件上能量耗散高。 输出终端出现过载电压时，合理的方法是将放大器输出节点与输出终端

  目前国内被广为采用的瞬态过电压保护元件是氧化锌压敏电阻器。90年代中期后PROTEK等公司生产的瞬态电压抑制器（TVS）系列新产品进入我国市场。近来，Teccor电子公司推出一种新型双向瞬态过压保护器件SIDACtor。日本三菱公司也生产SIDACtor系列新产品，并将其称为硅双向浪涌吸收器（DSSA）。 DSSA的主要特点     1.具有双向浪涌吸收特性，将一只DSSA并接于被保护设备的输入信号线之间，则可吸收来自任一信号线上的瞬变过电压。     2.电容量（Co)小。在1MHz和20V的直流偏置下，27V的DSSA的电容量仅约90PF，而1.5kW(30V）的齐纳二极管或雪崩二极管的电容量达550

  2016年2月16日，Vishay宣布，发布两颗新的双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管---VBUS03B1-SD0和VCUT03E1-SD0。这两款二极管的工作电压范围低至3.3V，具有超低的电容和漏电流，可保护高速数据线路和天线免收瞬变电压信号的影响。其封装采用了超小尺寸CLP0603硅封装，面积只有0.6mm x 0.3mm，且厚度仅为0.27mm，可用于便携式电子科技类产品。 今天发布的两颗器件的工作电压范围为3.3V，VBUS03B1-SD0典型负载电容低至0.29pF，VCUT03E1-SD0的负载电容小于14pF，可用在智能手机、数码相机、MP3播放器和便携式游戏机等产品中，保护像HDMI、USB 3.1和Thun

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